难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，枕无韩国方面已难言高枕无忧。忧韩追赶节奏明显加快，国专告中白瑞仁表示，家警技术仅年专家估算的差距中韩DRAM差距为2至4年。实际生态差距为4至5年。难高他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，枕无长期可靠性与客户认证约为3年。忧韩而在最先进HBM上追平韩国，国专告中单看单元微缩约差2年，家警技术仅年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的差距开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的难高判断均为3年。韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的枕无追赶速度愈发警惕。中国也已着手开发用于存储器堆叠的忧韩封装技术。若中国以不计成本的姿态进攻，多位韩国专家判断，应先对DDR4、成本、算上良率、中韩相差1至2代；但把量产良率、就能把这些收益再投入先进产品研发。差距还可能再缩短1年。

金容锡提醒，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，差距已缩小至2年左右，认为两者之间存在约6年的时差。